抵抗素子を製造するための三酸化タングステン
結(jié)晶欠陥は、原子または電子の中に存在するため、三酸化タングステンは、η-型ワイドバンドギャップ半導(dǎo)體酸化物(約2.4?2.8eVのバンドギャップ)である、化合物、キャリア濃度を充電測定偏差は、主に決定されます(例えば、酸素空孔など)の化學(xué)量論的欠陥の濃度が、それは優(yōu)れた觸媒とガス検知性能は、抵抗素子を作製するために使用することができています。とともにWO3抵抗素子のために準(zhǔn)備感光材料は、制限要素です。
カーボンナノチューブは1991年に発見されたので、一次元ナノ材料のより革新的、電気的、磁気的、光學(xué)的、熱的および他の物理的および化學(xué)的特性は、その値と広い抵抗素子を示し、より多くの注意をレンダリングアプリケーションの見通し。従來の酸化タングステン材料よりも三酸化タングステンナノワイヤーは、抵抗素子(ガスセンサ)、エレクトロルミネッセンス、フォトルミネッセンス、導(dǎo)電性電極と光觸媒等の幅広い用途を有する、より大きな表面積を有しています。また、酸化タングステンナノワイヤーは、より高い表面活性と強(qiáng)い吸著能力を有し、反応ガスの速度を上げる、大幅に感度が向上し、さらに、センサの動(dòng)作溫度を低下させます。
三酸化タングステンの単純な構(gòu)造、低コスト、高感度を有する抵抗素子に起因系ガス、及びであると考えられていますNOx、CO、O2とNH3新しい酸化物ガスセンサーやその他の最も有望なの一つ。
三酸化タングステンNO2ガスセンサー
最初に発見し、三酸化タングステンに報(bào)告NO21991年のガス検知特性は、Aliyama300℃で三酸化タングステンの場合、良好な二酸化窒素に敏感な物質(zhì)が検出されていることが分かります。三酸化タングステンの表面における二酸化窒素の反応機(jī)構(gòu)である:三酸化タングステンの二酸化窒素が表面に到達(dá)したときに起因NO2酸素吸著よりも強(qiáng)い電子親和力,NO2このように、吸著された酸素イオンから三酸化タングステンの伝導(dǎo)帯から獲得又は電子しますWO3表面空乏層の幅と障壁高さの増加、WO3抵抗素子の原理であり、電気伝導(dǎo)度、抵抗が増加し、減少します。
三酸化タングステンの硫化水素ガスセンサー
WO3硫化水素と三酸化タングステンコンタクトは、n型半導(dǎo)體を引き起こし、キャリアが増加する負(fù)の電子數(shù)を引き起こし、硫化水素ガスのメカニズムに基づいて、ガスセンサWO3抵抗が低下します。
三酸化タングステンNH3ガスセンサー
へWO3ベースNH3次のようにいくつかのガスセンサの研究結(jié)果は、次のとおりです。
1. これは、エレクトロスピニング法により調(diào)製しましたWO3アンモニアの50?500ppmの応答のために、350℃の溫度で、ナノファイバーおよびナノファイバー研究これは、アンモニアは、その高速な応答時(shí)間(20秒未満)結(jié)論を?qū)Г訾怠?br/>
2. でWO3表面スピードアップするだけでなく、白金觸媒によるのSi-のNb層の厚膜で覆われてNH3応答し、その応答時(shí)間が短縮されています。
3. 添加物および三酸化モリブデンとして金を使用して、調(diào)製WO3アンモニアの感応センサ1ppmの最大アンモニアの検出限界が、実験は、さらに400℃の動(dòng)作溫度で、センサーは良好な耐熱性および感度を有することを示します。
4. 15秒の最高感度と応答時(shí)間で、300℃で、かつ、敏感なSi基板上に作製三酸化タングステンディップコーティングを用いてフィルム、敏感な250?350℃のアンモニアの範(fàn)囲內(nèi)でそのような感応膜エタノール、メタン、アセトンおよび選択水蒸気。
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